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　　為扶持中國自己的芯片產(chǎn)業(yè)，用國產(chǎn)化來解決對國外廠商重度依賴的問題，2014年，國務(wù)院發(fā)布《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》，明確了集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的遠(yuǎn)期目標(biāo)，即到2023年，產(chǎn)業(yè)鏈主要環(huán)節(jié)達(dá)到國際先進(jìn)水平。為了實現(xiàn)這一目標(biāo)，在工信部、財政部的指導(dǎo)下，國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金設(shè)立，俗稱大基金。

　　隨著今年5月24日國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金三期股份有限公司的成立，大基金目前已投資三期，第三期注冊資本3440億元，投資規(guī)模超過了第一期與第二期總和，國家對集成電路產(chǎn)業(yè)的持續(xù)投資增強(qiáng)，無疑是為這一領(lǐng)域的從業(yè)者們注入了一劑強(qiáng)心劑，極大地提振了行業(yè)信心和創(chuàng)新活力。而截止目前，大基金一期基本已投資完畢，二期恰逢投資周期中間，此時對一期、二期的投資數(shù)據(jù)進(jìn)行盤點，則能較為全面的看清未來集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展趨勢以及國家重點關(guān)注的領(lǐng)域?？深A(yù)見的是，未來，處于上游的半導(dǎo)體材料、半導(dǎo)體設(shè)備及其零部件或?qū)⒊蔀橥顿Y重點，科學(xué)儀器行業(yè)也將得到新的發(fā)展機(jī)遇。

　　大基金一期投資布局：制造是重點

　　大基金一期成立于2014年9月，注冊資本987.2億元，最終募集資金總額為1387億元，存續(xù)期限為2014年9月26日至2024年9月25日，存續(xù)期限10年。公開資料顯示，一期對外投資企業(yè)共74家，投資分布大致為集成電路制造占67%，設(shè)計占17%，封測占10%，裝備材料類占6%?？梢钥闯觯圃祛I(lǐng)域是一期基金投資的重點，其次是IC設(shè)計和封測產(chǎn)業(yè)，而投資占比較小的是半導(dǎo)體設(shè)備、材料等上游產(chǎn)業(yè)鏈。

　　從投資地區(qū)分布來看，投資的74家企業(yè)分布在11個地區(qū)，Top 5分別是上海、江蘇、北京、浙江、廣東，其中上海更是占據(jù)總投資企業(yè)數(shù)量的28.38%，高居榜首。投資地區(qū)較為集中在以上海為主的東部沿海城市，北方城市則以北京最為集中。這些地區(qū)成熟的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈和人才優(yōu)勢等方面優(yōu)勢更有利于推動國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展和國產(chǎn)替代。

　　大基金一期的成功募集與廣泛投資顯著帶動了社會資本投入，撬動杠桿高達(dá)1:5，為集成電路產(chǎn)業(yè)提供了強(qiáng)有力的資金支持。同時，市場化的運作，也有效促進(jìn)了我國集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，促進(jìn)了上下游企業(yè)間的合作，在制造、設(shè)計、封測、設(shè)備以及材料等領(lǐng)域都取得了良好的進(jìn)展與有效的突破。推動了國內(nèi)芯片制造從成熟制程邁向先進(jìn)制程，填補(bǔ)了國內(nèi)在半導(dǎo)體設(shè)備和材料領(lǐng)域的部分空白，提高了產(chǎn)業(yè)鏈的自主可控能力，加快了半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)化進(jìn)程，部分技術(shù)壁壘較低的設(shè)備已實現(xiàn)30%~40%的國產(chǎn)化率，但一些技術(shù)壁壘較高的設(shè)備國產(chǎn)化率較低，甚至不到5%，如光刻設(shè)備、量檢測設(shè)備等。而大基金二期、三期的投入或?qū)椭鷩a(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備從底層零部件角度實現(xiàn)超越。

　　大基金二期投資布局：更多元

　　二期成立于2019年10月22日，注冊資本2041.5億元，營業(yè)期限為2019年10月22日至2029年10月21日，存續(xù)期限與一期相同均為10年。但二期與一期不同的是，二期投資領(lǐng)域更多元化，體現(xiàn)在行業(yè)、地區(qū)等方面。

　　行業(yè)多元

　　從投資數(shù)量上來看，二期投資行業(yè)更加多元，分布大致為制造36.36%、材料16.36%、設(shè)備14.55%、芯片設(shè)計14.55%、封測5.45%、集成電路設(shè)計工具5.45%、算力芯片5.45%、軟件（CIM/MES等軟件）1.82%。可明顯看出，相較于一期，二期投資的行業(yè)有較大變化。制造業(yè)仍處于投資的重點，超過80%的資金流向了重資產(chǎn)的制造領(lǐng)域。中芯南方、長江存儲、華虹半導(dǎo)體這三家制造企業(yè)在一期和二期中均得到了投資。其中存儲芯片制造企業(yè)長鑫存儲、長江存儲受到青睞，隨著AI技術(shù)以及大算力的需求越來越旺盛，存儲的市場空間還將會進(jìn)一步增長。

　　作為產(chǎn)業(yè)鏈的短板環(huán)節(jié)，處于集成電路產(chǎn)業(yè)上游的材料和設(shè)備投資占比則大幅增加，超過了10%的份額。細(xì)分來看，材料領(lǐng)域包括了光刻膠、掩膜版、硅片、電子特種氣體、濕電子化學(xué)品等在內(nèi)的大部分半導(dǎo)體材料。設(shè)備領(lǐng)域包括了探針臺、分選機(jī)、離子注入機(jī)、CMP、劃片機(jī)、晶圓自動化傳輸設(shè)備等。值得注意的是，半導(dǎo)體設(shè)備零部件廠商臻寶科技、鐠芯電子也在投資列表中，這是大基金首次布局半導(dǎo)體零部件公司。當(dāng)前國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備零部件企業(yè)的技術(shù)能力、工藝水平、產(chǎn)品精度和可靠性與國外差距較大，整體國產(chǎn)化率僅為10%-30%，一些零部件的國產(chǎn)化率幾乎為零。大基金的資金注入勢必將加快關(guān)鍵零部件的國產(chǎn)化進(jìn)程，提高國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備的自給能力。

　　另外，北京清微智能、上海燧原科技、北京奕斯偉三家算力芯片領(lǐng)域企業(yè)也得到了投資，這將有助于引導(dǎo)資源向這一高端領(lǐng)域集中，促進(jìn)企業(yè)更多的投入到先進(jìn)制程和高性能芯片的研發(fā)中，加速技術(shù)突破，縮小與國際先進(jìn)水平的差距。而這也將帶動半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)的協(xié)同發(fā)展，促進(jìn)芯片設(shè)計企業(yè)與制造、封裝測試企業(yè)之間的緊密合作，提高整個產(chǎn)業(yè)鏈的效率和質(zhì)量。

　　投資地區(qū)更廣

　　相較于一期投資了11個地區(qū)，二期目前投資的55個企業(yè)分布在14個地區(qū)省份，其中安徽、重慶、陜西、四川、山西、河北是首次投資，和一期投資地區(qū)基本分布在沿海城市不同的是，一些西部和北部城市出現(xiàn)在二期的投資視野中，這表明大基金投資動向不再局限于東部沿海地區(qū)，鼓勵半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向西部和北部拓展，這將幫助西部和北部城市縮小與東部發(fā)達(dá)地區(qū)的差距，促進(jìn)區(qū)域協(xié)調(diào)發(fā)展，并且有助于構(gòu)建更全面、更合理的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)布局，在全國范圍內(nèi)形成多點開花的局面，增強(qiáng)產(chǎn)業(yè)的抗風(fēng)險能力和穩(wěn)定性。

　　大基金三期投資方向預(yù)測

　　國家大基金三期于2024年5月28日成立，注冊資本3440億元。存續(xù)期限為2024年5月24日至2039年5月23日，從一期、二期的10年延長到15年，體現(xiàn)了更長遠(yuǎn)的發(fā)展戰(zhàn)略。從對前期大基金投資數(shù)據(jù)的分析中，國家大基金一期和二期在半導(dǎo)體設(shè)備和材料領(lǐng)域進(jìn)行了大量投資，為我國芯片產(chǎn)業(yè)的初期發(fā)展奠定了堅實基礎(chǔ)。因此，預(yù)計國家大基金三期將繼續(xù)聚焦于大型半導(dǎo)體制造以及設(shè)備、材料、零部件等卡脖子環(huán)節(jié)以推動國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的技術(shù)進(jìn)步和產(chǎn)能擴(kuò)張?？梢酝茰y三期的投資方向大致有以下幾個方面：

　　1、半導(dǎo)體材料

　　半導(dǎo)體材料方面，大尺寸硅片、光刻膠、濺射靶材、光掩模、電子特氣和拋光材料等皆未完全實現(xiàn)國產(chǎn)化替代。其中，光刻膠領(lǐng)域，產(chǎn)能集中于美國、日本等國家，國內(nèi)本土光刻膠廠商在半導(dǎo)體用光刻膠市場的占比僅為2%，g線（436nm）、i線（365nm）光刻膠國產(chǎn)化率約為10%，KrF光刻膠及ArF光刻膠國產(chǎn)化率僅為1%，極紫外光刻（EUV）和電子束光刻膠的研發(fā)與生產(chǎn)能力亟待突破。

　　2、半導(dǎo)體設(shè)備及其零部件

　　大基金三期將更加注重對核心技術(shù)和關(guān)鍵零部件的投資。目前在光刻機(jī)、量檢測設(shè)備、刻蝕設(shè)備等領(lǐng)域國產(chǎn)化率不到10%，而相應(yīng)的設(shè)備零部件國產(chǎn)化率同樣較低，半導(dǎo)體零部件實現(xiàn)國產(chǎn)替代是提高半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)化率的前提。因此，搶先突破半導(dǎo)體零部件關(guān)鍵核心技術(shù)短板，成為了國產(chǎn)零部件賽道中突圍的關(guān)鍵點。

　　3、先進(jìn)制造

　　晶圓制造是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中重資產(chǎn)、高研發(fā)投入環(huán)節(jié)，也是前兩期大基金的投資重心。目前我國在半導(dǎo)體制造方面主要是成熟工藝制程的優(yōu)勢較大，但是在高端芯片特別是14納米以下的芯片量產(chǎn)還存在較大的技術(shù)難點。

　　4、先進(jìn)封裝

　　隨著摩爾定律逐漸接近物理極限，傳統(tǒng)通過縮小晶體管尺寸來提升性能的方法面臨挑戰(zhàn)，先進(jìn)封裝技術(shù)成為提升系統(tǒng)整體性能的重要突破。當(dāng)前AI及HPC等芯片對先進(jìn)封裝技術(shù)的需求日也益提升，其中，以臺積電的CoWoS為目前AI服務(wù)器芯片主力采用者。中國大陸廠商目前在CoWoS這一特定細(xì)分領(lǐng)域還沒有形成突破。據(jù)集邦咨詢的數(shù)據(jù)，隨著需求飆升，臺積電預(yù)估至2024年底CoWoS每月產(chǎn)能將逼近40k，相較2023年總產(chǎn)能提升逾150%；2025年規(guī)劃總產(chǎn)能有機(jī)會幾近倍增。先進(jìn)封裝有望成為大基金三期關(guān)注賽道。

　　5、HBM

　　HBM可以說就是疊在一起的DRAM，有高帶寬、低功耗與體積小等優(yōu)點，尤為匹配AI芯片的運行。因為AI芯片為了處理大量并行數(shù)據(jù)，需要高算力和大帶寬的內(nèi)存。不過，HBM目前在供給層面幾乎被SK海力士、三星、美光三家企業(yè)壟斷。SemiAnalysis數(shù)據(jù)顯示，HBM現(xiàn)況約為SK海力士73%、三星22%、美光5%。市調(diào)機(jī)構(gòu)Gartner預(yù)估，2023年全球HBM銷售規(guī)模為20.05億美元，2025年將翻倍到49.76億美元。

　　6、AI芯片

　　隨著生成式AI涌現(xiàn)以及AI應(yīng)用進(jìn)一步落地，全球高算力的AI芯片一直處于結(jié)構(gòu)性緊缺狀態(tài)。目前英偉達(dá)是全球最大的AI芯片供應(yīng)商，其市場份額占據(jù)了絕對的領(lǐng)先地位。據(jù)華經(jīng)情報網(wǎng)數(shù)據(jù)，2022年中國AI加速卡出貨量約為109萬張，其中英偉達(dá)在中國AI加速卡市場份額為85%，華為市占率為10%，百度市占率為2%。國產(chǎn)AI芯片仍有相當(dāng)大的發(fā)展空間，AI芯片有望成為大基金三期新的投資重點。

　　7、投資地區(qū)

　　西部和北部地區(qū)在工業(yè)、通信、智能設(shè)備等領(lǐng)域的發(fā)展對半導(dǎo)體產(chǎn)品的需求不斷增長。提前布局投資，可以更好地滿足當(dāng)?shù)厥袌龅男枨?，并帶動相關(guān)產(chǎn)業(yè)的升級。并且隨著東部地區(qū)產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)的調(diào)整和升級，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向西部和北部轉(zhuǎn)移或?qū)⒊蔀橐环N趨勢。對于推動我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的全面發(fā)展、區(qū)域協(xié)調(diào)以及產(chǎn)業(yè)布局的優(yōu)化都具有重要意義。

來源：儀器信息網(wǎng)